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近日，研究機構(gòu)桑迪亞國家實驗室（Sandia National Laboratories）的一則報道引發(fā)了行業(yè)熱議。
報道指出，該實驗室與英特爾在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域取得了重大進展，其共同開展的“先進內(nèi)存技術(shù)”（AMT）項目成功將DRAM相關(guān)研發(fā)成果轉(zhuǎn)化為新型內(nèi)存技術(shù)，旨在解決美國國家核安全管理局（NNSA）關(guān)鍵任務(wù)中的內(nèi)存帶寬與延遲難題。
這一消息讓“英特爾是否會重返DRAM賽道”的猜想浮出水面。
雖然這則新聞并未明確宣告英特爾將大規(guī)模重返獨立DRAM制造市場，但其中釋放的信號卻值得玩味。尤其是結(jié)合英特爾的歷史積淀，且當前DRAM行業(yè)正處于AI超級周期帶動的上漲通道之中，這一動向更顯微妙。
這個曾經(jīng)的存儲霸主，“重返”的可能性正變得愈發(fā)值得探討。
存儲巨頭的浮沉
英特爾與DRAM的淵源可以追溯到行業(yè)起步之初。
1970年，英特爾推出1103芯片，這是全球首款商業(yè)成功的DRAM產(chǎn)品，憑借在價格、密度和邏輯兼容性上對磁芯存儲器的全面超越，迅速改寫了存儲行業(yè)的格局。
英特爾在上世紀70年代一度占據(jù)全球DRAM市場90%的份額，成為了無可爭議的行業(yè)龍頭。
當時，1103芯片不僅贏得了HP、DEC、霍尼韋爾等主流計算機廠商的青睞，更確立了DRAM的發(fā)展模式，為后續(xù)技術(shù)演進奠定了基礎(chǔ)。
然而，DRAM行業(yè)的周期性與市場競爭的殘酷性，讓英特爾的霸主地位未能延續(xù)。80年代，日本廠商借助政府支持、卓越制造良率和激進定價策略崛起，NEC、東芝等企業(yè)迅速搶占市場份額，1987年全球十大DRAM供應(yīng)商中有七家來自日本，英特爾因成本劣勢陷入巨額虧損，最終在1985年宣布退出DRAM業(yè)務(wù)，轉(zhuǎn)向CPU領(lǐng)域。這一決策被《經(jīng)濟學人》稱為“半導體史上最重大的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)向”。
此后數(shù)十年，全球DRAM格局歷經(jīng)韓國廠商崛起、行業(yè)整合，最終形成了三星、SK海力士、美光三大巨頭壟斷95%以上市場份額的寡頭格局。
眾所周知，存儲行業(yè)具有強周期性特征，通常每4-5年經(jīng)歷一輪劇烈的供需波動。在經(jīng)歷2021年末至2023年的超級周期性低迷后，生成式AI的爆發(fā)徹底改變了需求格局。
如今，DRAM行業(yè)正迎來新一輪結(jié)構(gòu)性機遇。AI工作負載對內(nèi)存帶寬和容量的極致需求，推動數(shù)據(jù)中心HBM和DRAM需求爆炸式增長，存儲行業(yè)正迎來前所未有的超級周期。
據(jù)TrendForce集邦咨詢預測，2026年一季度，受原廠產(chǎn)能向Server、HBM應(yīng)用轉(zhuǎn)移影響，一般型DRAM合約價將季增55-60%，Server DRAM價格季增逾60%，整個市場呈現(xiàn)供不應(yīng)求的繁榮態(tài)勢。市場研究顯示，2025年DRAM行業(yè)營收將恢復至千億美元級別，2029年有望達到1500億美元，數(shù)據(jù)中心和汽車應(yīng)用將成為核心驅(qū)動力，復合年增長率分別高達25%和38%。
在這樣的行業(yè)風口，以及英特爾正面臨的CPU市場受擠壓、代工業(yè)務(wù)虧損、AI芯片滯后的多重壓力之下，尋找新的增長曲線或許成為其迫切需求。
AMT項目：揭開英特爾"重返"DRAM的面紗
其中，桑迪亞國家實驗室與英特爾的合作，為這場猜想提供了最直接的技術(shù)佐證。
據(jù)了解，作為后百億億次級計算計劃的一部分，AMT項目由桑迪亞國家實驗室牽頭，聯(lián)合勞倫斯·利弗莫爾國家實驗室、洛斯阿拉莫斯國家實驗室與英特爾共同推進，前兩輪合作聚焦研發(fā)，第三輪已進入產(chǎn)品化階段，早期投資正逐步轉(zhuǎn)化為實際成果。
英特爾在該項目中推出的下一代DRAM鍵合（NGDB）計劃，展現(xiàn)了顛覆性的技術(shù)思路。不同于傳統(tǒng)內(nèi)存架構(gòu)，NGDB采用全新的內(nèi)存組織方式與堆疊組裝方法，在顯著提升DRAM性能的同時，實現(xiàn)了功耗降低與成本優(yōu)化。
更關(guān)鍵的是，它打破了HBM與DDR DRAM之間的性能權(quán)衡，解決了當前高帶寬內(nèi)存普遍存在的“以容量換帶寬”的痛點，讓更多應(yīng)用場景能夠享受到高帶寬內(nèi)存的優(yōu)勢。桑迪亞國家實驗室首席技術(shù)人員格溫·沃斯庫倫直言：“這項技術(shù)將促使高帶寬存儲器在受限于容量和功率的系統(tǒng)中得到更廣泛應(yīng)用?！?/p>
從技術(shù)細節(jié)來看，英特爾已開發(fā)出新型堆疊方法和DRAM組織結(jié)構(gòu)，原型產(chǎn)品不僅克服了現(xiàn)有技術(shù)的內(nèi)存容量限制，更實現(xiàn)了功能性驗證，證實了該技術(shù)大規(guī)模生產(chǎn)的可行性。
英特爾政府技術(shù)首席技術(shù)官Joshua Fryman強調(diào)：“標準內(nèi)存架構(gòu)無法滿足人工智能的需求，NGDB定義了全新方法，將加速我們邁向下一個十年?！倍⑻貭栐菏縅osh Fryman的表態(tài)更具深意：“我們正在重新思考DRAM的組織方式，從根本上推進計算機系統(tǒng)架構(gòu)，目標是實現(xiàn)數(shù)量級的性能提升，并將創(chuàng)新納入行業(yè)標準?！?/p>
這些技術(shù)突破與戰(zhàn)略表述，無不暗示著英特爾在DRAM領(lǐng)域的野心絕非短期試水，而是著眼于長期行業(yè)布局。
Saimemory低功耗革命，重新殺回存儲賽道
如果說與桑迪亞國家實驗室的合作是前沿技術(shù)層面的鋪墊，那么英特爾與軟銀集團的聯(lián)手，則可以認為是其在DRAM賽道實質(zhì)性推進的重要一步，展現(xiàn)出更清晰的商業(yè)化路徑。
2024年末，英特爾與日本軟銀宣布成立合資公司Saimemory，攜手東京大學、日本理研等機構(gòu)，以“低功耗存儲革命者”的姿態(tài)，瞄準AI時代的存儲痛點，致力于開發(fā)替代HBM的堆疊式DRAM解決方案。
當前，AI處理器高度依賴HBM芯片，但HBM存在制程復雜、成本高昂、功耗大、易發(fā)熱等固有缺陷，且市場被三星、SK海力士、美光三大廠商壟斷，供應(yīng)持續(xù)吃緊。
Saimemory的核心使命正是打破這一格局：通過垂直堆疊多顆DRAM芯片，結(jié)合英特爾的EMIB橋接技術(shù)優(yōu)化互連方式，實現(xiàn)存儲容量較現(xiàn)行先進存儲器翻倍（目標單芯片512GB）、功耗降低40%-50%，量產(chǎn)成本僅為HBM的60%。這一路線避開了HBM依賴的硅通孔復雜工藝，更側(cè)重架構(gòu)優(yōu)化與能效突破。
與三星、NEO Semiconductor等企業(yè)聚焦容量提升的3D堆疊DRAM技術(shù)不同，Saimemory直擊AI數(shù)據(jù)中心電力成本高企的核心痛點，其技術(shù)路徑兼容現(xiàn)有AI處理器接口，無需大規(guī)模硬件改造，顯著降低了客戶遷移成本。
在資源投入方面，該項目總投資預計達100億日元（約合 7000 萬美元），軟銀初期注資30億日元成為最大股東并承諾優(yōu)先采購，富士通、新光電氣工業(yè)等參與投資，日本政府更計劃提供超50億日元補貼，凸顯了日本重振半導體存儲器產(chǎn)業(yè)的深層訴求，背后暗含日本重振半導體產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略訴求。按照規(guī)劃，Saimemory將在2027年前完成原型設(shè)計與量產(chǎn)評估，力爭2030年前實現(xiàn)商業(yè)化，優(yōu)先供應(yīng)軟銀籌建的AI訓練數(shù)據(jù)中心。
這一合作對英特爾而言，既是IDM 2.0戰(zhàn)略的延伸，也是技術(shù)資源的二次激活。通過開放芯片堆疊、封裝等核心技術(shù)，英特爾試圖在存儲領(lǐng)域重建生態(tài)影響力，而非單純依賴自有制造能力。盡管面臨HBM巨頭的專利壁壘、代工良率控制、生態(tài)協(xié)同不足等挑戰(zhàn)，但Saimemory低功耗替代的差異化路線已展現(xiàn)出破局潛力，有望在邊緣計算、中小型AI服務(wù)器等場景形成獨特競爭力，甚至引發(fā)存儲行業(yè)的技術(shù)路線分流。
綜合來看，這種“資本+技術(shù)”的強強聯(lián)合，展示了英特爾以另一種形式深度介入高端DRAM市場的野心。
保留eDRAM的技術(shù)火種
在DRAM主線布局之外，英特爾在eDRAM（嵌入式DRAM）領(lǐng)域的技術(shù)積累，為其重返存儲賽道提供了另一重支撐。
eDRAM作為將DRAM單元直接集成在處理器芯片上的存儲技術(shù)，憑借低延遲、高帶寬、高密度的特性，被業(yè)界視為彌補GPU與內(nèi)存之間“內(nèi)存墻”的有效手段之一，如今正重新成為行業(yè)關(guān)注的焦點。
相較于SRAM，eDRAM存儲單元結(jié)構(gòu)更簡單（1T-1C結(jié)構(gòu)），單位容量成本更低，相同芯片面積下容量可達SRAM的6倍左右；相較于傳統(tǒng)DRAM，其數(shù)據(jù)傳輸路徑更短，延遲和功耗優(yōu)勢顯著。
英特爾在eDRAM領(lǐng)域早有深耕。
早在十多年前的Haswell、Broadwell處理器時代，英特爾就曾在高端處理器中集成128MB eDRAM作為L4緩存，顯著提升了核顯性能。
例如，在2013年的Haswell架構(gòu)處理器中，高端核顯Iris Pro Graphics就集成了128MB eDRAM作為L4緩存，通過封裝內(nèi)I/O（OPIO）接口實現(xiàn)了1W功耗下102.4GB/s的讀寫速度，顯著提升了圖形處理性能。
此后，英特爾的Broadwell架構(gòu)桌面版進一步沿用這一設(shè)計，128MB eDRAM L4緩存通過獨立讀寫總線、多存儲體設(shè)計等優(yōu)化，實現(xiàn)36.6納秒的加載延遲，在高帶寬負載下展現(xiàn)出優(yōu)異的穩(wěn)定性。
在高性能計算領(lǐng)域，英特爾Xeon Phi處理器搭配16GB eDRAM，為科學計算、數(shù)據(jù)分析等任務(wù)提供了高效緩存支持。
英特爾雖然曾一度因制程成本考量放緩了eDRAM的步伐，但隨著AI時代對極致性能的渴求，這項技術(shù)正重新回到其武器庫的中心位置。
誠然，eDRAM的發(fā)展面臨工藝集成復雜、刷新功耗、良率控制等多重挑戰(zhàn)，但隨著半導體工藝的進步，3D堆疊、新型電容材料等技術(shù)的應(yīng)用正不斷突破這些瓶頸，這些長期制約其發(fā)展的瓶頸正被逐一突破。當下，AI訓練推理、高性能計算等場景對低延遲、高帶寬存儲的需求愈發(fā)迫切，這也讓eDRAM在圖形處理、嵌入式系統(tǒng)、邊緣計算等領(lǐng)域的應(yīng)用版圖不斷拓寬。而英特爾在eDRAM領(lǐng)域積淀的深厚技術(shù)儲備，無疑成為其重返高端存儲賽道的關(guān)鍵籌碼，也為其提供了更具競爭力的技術(shù)選項與戰(zhàn)略靈活性。
寫在最后
回望歷史，除了在DRAM行業(yè)的早期輝煌之外，英特爾在NAND閃存領(lǐng)域也有過長期探索：2007年推出25納米NAND推動SSD普及，2015年與美光聯(lián)合發(fā)布3D XPoint技術(shù)并品牌化為“傲騰”，雖最終因商業(yè)化困境退出NAND業(yè)務(wù)、停產(chǎn)傲騰，但其在存儲架構(gòu)、芯片堆疊、先進封裝、存儲專利等方面的積累依然深厚，或許能為其如今重新布局DRAM業(yè)務(wù)打下關(guān)鍵基礎(chǔ)。
尤其是在AI時代，內(nèi)存不僅是容量與成本的游戲，更是性能、功耗與架構(gòu)的綜合性競爭。當前，AI驅(qū)動的存儲產(chǎn)業(yè)變革正在重塑行業(yè)格局。DRAM行業(yè)的高增長預期、HBM市場的壟斷痛點、eDRAM的技術(shù)復蘇，為英特爾提供了重返存儲賽道的絕佳契機。
從桑迪亞國家實驗室的技術(shù)突破，到與軟銀聯(lián)手的Saimemory項目，再到eDRAM領(lǐng)域的技術(shù)儲備。目前英特爾在存儲領(lǐng)域的動向更像是多點布局、試探風向：一方面通過國家實驗室合作保持前沿技術(shù)參與，另一方面借合資項目探索替代性產(chǎn)品路徑，同時內(nèi)部仍保留著如eDRAM等集成化方案的技術(shù)火種。
然而，重返之路并非坦途，面對三星、SK海力士等巨頭的技術(shù)壟斷與生態(tài)壁壘，專利糾紛、良率控制、成本優(yōu)化等現(xiàn)實挑戰(zhàn)，以及自身過往商業(yè)化失利的教訓，都將考驗英特爾的戰(zhàn)略決心與執(zhí)行能力。
當前，“英特爾是否會正式重返DRAM賽道”仍無定論，但可以肯定的是，在存儲技術(shù)愈發(fā)成為AI時代核心競爭力的大背景下，英特爾應(yīng)該不會全然放棄這一關(guān)鍵領(lǐng)域的布局。
未來數(shù)年，無論英特爾最終是否以傳統(tǒng)形式“重返DRAM”，其在存儲領(lǐng)域頻繁落子已是不爭的事實。這位曾經(jīng)的存儲王者或許不會直接與三星、SK海力士等巨頭在技術(shù)路線、產(chǎn)能規(guī)模上正面對抗，但在AI驅(qū)動的異構(gòu)計算時代，它完全可能憑借架構(gòu)創(chuàng)新與系統(tǒng)整合能力，在存儲領(lǐng)域重新定義自己的角色。
正如一位行業(yè)分析師所言：“未來的存儲競爭不再是單一的制程競賽，而是架構(gòu)、功耗、生態(tài)乃至地緣策略的復合博弈。”在這樣的全新的多維戰(zhàn)場之上，英特爾在存儲領(lǐng)域的故事，或許才剛剛翻開新的一頁。
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