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周一，全球存儲(chǔ)芯片板塊遭遇市場(chǎng)情緒的猛烈沖擊。受海外流動(dòng)性收緊預(yù)期幾DRAM現(xiàn)貨價(jià)格數(shù)月來首次下跌的影響，韓國(guó)存儲(chǔ)巨頭股價(jià)大跌，A股存儲(chǔ)板塊亦在情緒面壓制下表現(xiàn)疲軟。市場(chǎng)擔(dān)憂情緒主要源于對(duì)“現(xiàn)貨價(jià)格下跌意味著周期見頂”的恐慌。
然而，高盛在2月2日發(fā)布的最新研報(bào)中，對(duì)這一悲觀預(yù)期做出了強(qiáng)力反駁。報(bào)告指出，盡管現(xiàn)貨市場(chǎng)出現(xiàn)波動(dòng)，但DRAM的合約價(jià)格不僅未跌，反而迎來了更猛烈的上漲預(yù)期。高盛大幅上調(diào)了2026年一季度DRAM價(jià)格漲幅預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì)環(huán)比漲幅將高達(dá)90-95%，遠(yuǎn)超此前市場(chǎng)及該行自身的預(yù)期。
在這一背景下，當(dāng)前市場(chǎng)的下跌被視為對(duì)基本面的誤讀。現(xiàn)貨價(jià)格與期貨（合約）價(jià)格之間存在巨大價(jià)差，目前高價(jià)現(xiàn)貨市場(chǎng)呈現(xiàn)“有價(jià)無市”的狀態(tài)，而真正決定企業(yè)盈利的合約市場(chǎng)仍處于強(qiáng)勢(shì)上漲通道。高盛重申了對(duì)三星（SEC）和SK海力士的“買入”評(píng)級(jí)，認(rèn)為利空消息干擾了科技股表現(xiàn)，實(shí)則是對(duì)存儲(chǔ)芯片的一次“錯(cuò)殺”。
DRAM合約價(jià)預(yù)期飆升：一季度或暴漲95%
高盛分析師Giuni Lee團(tuán)隊(duì)在報(bào)告中指出，2026年一季度主要應(yīng)用領(lǐng)域的DRAM定價(jià)預(yù)測(cè)均已大幅上調(diào)。特別是傳統(tǒng)DRAM的整體定價(jià)，預(yù)計(jì)將在2025年四季度環(huán)比上漲45-50%的基礎(chǔ)上，于2026年一季度進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)90-95%的環(huán)比增長(zhǎng)。這一預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)顯著高于高盛此前對(duì)三星和SK 海力士 77-82%的環(huán)比增長(zhǎng)預(yù)期，同時(shí)也高于華爾街的一致預(yù)期。
移動(dòng)端NAND（eMMC/UFS）方面，2026年一季度的合約價(jià)格也預(yù)計(jì)環(huán)比上漲55-65%，這與高盛此前對(duì)整體NAND定價(jià)環(huán)比上漲45-70%的預(yù)測(cè)基本一致。盡管消費(fèi)電子需求在淡季有所減弱，但企業(yè)級(jí)SSD（eSSD）和AI相關(guān)存儲(chǔ)需求的強(qiáng)勁，導(dǎo)致智能手機(jī)和PC客戶獲得的供應(yīng)配額有限，從而繼續(xù)推高了這些細(xì)分市場(chǎng)的價(jià)格。
PC與服務(wù)器DRAM：供應(yīng)短缺推高溢價(jià)
在細(xì)分領(lǐng)域，PC DRAM和服務(wù)器DRAM的漲價(jià)動(dòng)力尤為強(qiáng)勁。TrendForce（集邦咨詢）已將2026年一季度PC DRAM合約價(jià)格預(yù)測(cè)上調(diào)至環(huán)比增長(zhǎng)105-110%，同時(shí)維持二季度環(huán)比增長(zhǎng)20-25%的預(yù)測(cè)。這一數(shù)據(jù)遠(yuǎn)高于高盛此前預(yù)估的80-90%，暗示市場(chǎng)存在進(jìn)一步的上行空間。
具體來看，1月份DDR4 8GB模組價(jià)格環(huán)比上漲83%至85美元，DDR5 8GB模組價(jià)格環(huán)比上漲90%至75美元。隨著部分價(jià)格談判直至1月份才結(jié)束，且供應(yīng)商庫存持續(xù)緊張，本季度剩余時(shí)間內(nèi)價(jià)格仍有進(jìn)一步上漲的可能。
服務(wù)器端同樣面臨供不應(yīng)求的局面。盡管供應(yīng)商已將部分產(chǎn)能從PC和智能手機(jī)轉(zhuǎn)向服務(wù)器，但在北美和中國(guó)云服務(wù)提供商（CSP）強(qiáng)勁需求的支撐下，供應(yīng)依然受限，供應(yīng)商的定價(jià)權(quán)保持強(qiáng)勢(shì)。TrendForce將2026年一季度服務(wù)器DRAM合約價(jià)格預(yù)測(cè)上調(diào)至環(huán)比增長(zhǎng)88-93%，略高于高盛此前75-80%的預(yù)期。值得注意的是，DDR5相比DDR4的溢價(jià)正在收窄，1月份DDR5 64GB模組相比同規(guī)格DDR4的溢價(jià)已降至9%。
移動(dòng)端DRAM：AI需求擠占產(chǎn)能
移動(dòng)端DRAM市場(chǎng)并未置身事外。TrendForce將2026年一季度LPDDR5X的價(jià)格預(yù)測(cè)從之前的環(huán)比增長(zhǎng)45-50%大幅上調(diào)至88-93%。
這一激進(jìn)的漲價(jià)預(yù)期背后的邏輯在于產(chǎn)能擠壓：服務(wù)器客戶對(duì)存儲(chǔ)芯片的強(qiáng)勁需求正在擴(kuò)大其他應(yīng)用領(lǐng)域的供需缺口。隨著供應(yīng)商優(yōu)先滿足利潤(rùn)更高的服務(wù)器和AI相關(guān)需求，移動(dòng)端DRAM的供應(yīng)變得愈發(fā)緊張，從而迫使價(jià)格大幅上行。這一最新預(yù)測(cè)也顯著高于高盛此前對(duì)三星和海力士在該領(lǐng)域75-80%的環(huán)比漲幅預(yù)期。
估值與目標(biāo)價(jià)：重申買入評(píng)級(jí)
基于強(qiáng)勁的價(jià)格上漲預(yù)期，高盛重申了對(duì)韓國(guó)兩大存儲(chǔ)巨頭的看好。對(duì)于三星，高盛基于2026年預(yù)期的EV/EBITDA估值模型，給予普通股205,000韓元的目標(biāo)價(jià)，主要下行風(fēng)險(xiǎn)包括存儲(chǔ)供需惡化及智能手機(jī)利潤(rùn)率收縮。
對(duì)于SK 海力士，高盛給予1,200,000韓元的12個(gè)月目標(biāo)價(jià)。分析師指出，鑒于海力士在HBM（高帶寬內(nèi)存）收入上的顯著增長(zhǎng)，其相對(duì)于三星應(yīng)享有30%的“AI溢價(jià)”。該目標(biāo)價(jià)基于2.8倍的目標(biāo)市凈率（P/B）計(jì)算得出，參考了上一輪強(qiáng)勁定價(jià)上行周期（2009-2010年）的估值峰值。
綜上所述，雖然短期現(xiàn)貨市場(chǎng)的價(jià)格波動(dòng)引發(fā)了投資者的恐慌，但從高盛及TrendForce的數(shù)據(jù)來看，存儲(chǔ)芯片行業(yè)的合約價(jià)格正處于近年來最猛烈的上漲周期之中。市場(chǎng)對(duì)于“周期見頂”的擔(dān)憂，或是一次因信息不對(duì)稱而導(dǎo)致的錯(cuò)殺。
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